8. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı

[ulaştığı tarihe göre sıralanmıştır]

Gonderen: kara@science.ankara.edu.tr

İki çekirdekli [Cu2(L1)(3,5-prz)] ve [Cu2(L2)(3,5-prz)] komplekslerinin magnetik özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada, iki çekirdekli Cu(II) kompleksleri; Cu2(L1)(3,5-prz), (L1=1,3-bis(2-hidroksi-1-naftilidenamino)propan-2-ol) ve Cu2(L2)(3,5-prz), L2=1,3-bis(2-hidroksi-5 klorosalisilidenamino)propan-2-ol), (3,5-prz=3,5-dimetil pirazol) un magnetik özellikleri incelenmiştir. Bu komplekslerin kristal yapıları, x-ışını kırınım yöntemi ile magnetik özellikleri ise SQUID yöntemi ile belirlenmiştir. Bakır komplekslerinde, iki bakır atomu ligandın köprü oksijen atomu ve 3,5-dimetil pirazolun azot atomları üzerinden bağlanmaktadır. Magnetik alınganlık ölçümleri sonucunda her iki kompleksinde antiferromagnetik etkileşme gösterdiği bulunmuştur. İki kompleksin yapısal verileri benzer olmasına karşın HK(1) in süper değiş-tokuş etkile?me sabitinin (-2J=440 cm-1) HK(2) ninkinden (-2J=164 cm-1) çok daha güçlü olduğu gözlenmiştir. Yapısal faktörlerle bu farklılığı açıklamak oldukça zordur. Bu farklılığı açıklamak için, iki bakır atomunu bağlayan, ikinci köprü ligandının magnetik süper değiş-tokuş çiftlenimine etkisi, GAUSSIAN-98 bilgisayar programı ile ab-initio RHF (Restricted Hartree Fock) yöntemi kullanılarak moleküler orbital hesaplamaları yapılarak belirlenmiştir. Magnetik davranışlar arasındaki fark, köprü ligandın orbital complementary/countercomplementary davranış sergilemesi ile açıklanmıştır.

Gonderen: boyacib@science.ankara.edu.tr

Kuantum Hall Olayında Lokalize Elektronlar için Magnetik Uzunluğun Magnetik Alana Bağlılığı

Kuantum Hall olayında magnetik uzunluğun magnetik alana bağlılığı harmonik safsızlık potansiyeli yaklaşımında hesaplandı ve taban duruma karşı gelen etkin siklotron yarıçapının (magnetik uzunluk) magnetik alanla ters orantılı olarak küçüldüğü hesaplandı. Lokalize olmayan durumlara karşı gelen magnetik uzunluğun karekök B ile ters orantılı olduğundan lokalize durumlarda siklotron yarıçapının küçülmesi lokalize olmayan durumlara göre daha hızlı olacağı anlaşıldı. Bu calışmanın sonucunda lokalize bölgede Fermi enerjisinin magnetik alandan bağımsız olacağı ortaya cıkmıştır ki bu da Kuantum Hall olayında gözlenen platoların anlaşılmasında yardımcı olacaktır.

Gonderen: aceylan@hacettepe.edu.tr

YBa2Cu3O7-δ Üstüniletken İnce Filmlerin Hazırlanması ve Karakterizasyonu

Yüksek sıcaklık üstüniletkenliği üzerine yapılan çalışmalar teknolojik uygulamaları nedeni ile bir çok araştırma merkezinde devam etmektedir. Yığın malzemelere göre üstün özellikler göstermeleri ve üstüniletken aygıtların yapılabilmesi, nitelikli ince filmlerin önemini arttırmıştır.

Yüksek sıcaklık üstüniletken filmlerin hazırlanmasında yaygın olarak kullanılan tekniklerden biri, sputtering tekniğidir. Bu tekniğin temeli, hedef malzeme yüzeyine yüksek enerjili parçacıkların bombardıman edilmesi sonucu atomik veya iyonik parçacıkların yüzeyden momentum transferi ile kopartılmasına dayanır. Sputtering tekniği ile hazırlanan ince filmlerin kalitesi; uygulanan güç, alttaş sıcaklığı, toplam gaz (Ar+O2) basıncı, kısmi oksijen basıncı, alttaş hedef malzeme uzaklığı, hedef malzeme stokiyometrisi gibi parametrelere çok bağlıdır. Ancak parametrelerin belirlenmesinden sonra aynı özelliklere sahip ince filmlerin hazırlanabilmesi bu tekniğin en büyük avantajıdır. Bu nedenle birçok araştırma grubu sputtering tekniğini tercih etmiştir.

Bu çalışmada daha önce kurulmuş olan magnetron sputtering sistemi (Erdal KAYNAK, Doktota Tezi, HÜ, 2000) kullanılarak YBa2Cu3O7-δ üstüniletken ince film örnekler hazırlanmıştır.

Sputtering sistemi beş ana bölümden oluşmaktadır; vakum sistemi, vakum odası, magnetron sputtering kaynağı, güç kaynakları ve alttaş ısıtıcısı. SS304 paslanmaz çelikten imal edilen vakum odasının basıncı, difüzyon ve mekanik pompalı vakum sistemi ile yüksek vakum (4x10-7 Torr) seviyesine inebilmektedir. Yüksek kaplama hızlarında örnek hazırlayabilmek amacıyla d.a. ve r.f. magnetron kaynağı tercih edilmiştir. Magnetron sputtering kaynağına ait d.a. ve r.f. olmak üzere iki adet güç kaynağı bulunmaktadır. Filmlerin hazırlanması sırasında gerekli olan alttaş sıcaklığını (600-850°C) elde etmek amacı ile yeni bir alttaş ısıtıcısı tasarlanmış ve yapılmıştır.

Hazırlanan YBa2Cu3O7-δ ince filmlerin karakterizasyonu için XRD, STM, A.A. Elektriksel Direnç ve A.A. Magnetik Duygunluk teknikleri kullanılmıştır. 0.5x0.5x5 mm3 boyutlarında SrTiO3 tek kristal alttaşlar üzerine hazırlanan ince filmlerin, XRD ölçümlerine göre c-yönelimli, STM ölçümlerine göre tanecikli yapıda olduğu anlaşılmıştır. Direnç ölçümlerine göre geçiş sıcaklığı 87 K ve magnetik duygunluk ölçümlerine göre geçiş sıcalığı 84.5 K olan örnekler elde edilmi?tir.

Gonderen: kervan@science.ankara.edu.tr

A Magnetic Study of ThCr2Si2-type Nd1-xDyxMn2Ge2 Compounds

Gonderen: engin@hacettepe.edu.tr

Modülasyonlu katkılanmış In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklem örneklerde magnetotransport ölçümler

Modülasyonlu-katkılanmış In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklem (heterojunction) örneklerin elektronik transport özellikleri Shubnikov-de Haas (SdH) osilasyonları yöntemiyle incelendi. Deneylerde Molecular Beam Epitaxy (MBE) tekniğiyle hazırlanmış ve ayırıcı (spacer) tabaka genişliği tS=0, 100, 200 ve 400 Å olan örnekler kullanıldı. Örneklerden sabit dc akım (I=10 A) sürüldü ve örnek düzlemine dik magnetik alan (B=0,1-2,3 T) uygulanarak SdH osilasyonları 3,25-25 K sıcaklık aralığında ölçüldü. SdH osilasyonları verileri analiz edilerek, her alt-bandda bulunan iki-boyutlu (2D) elektronların taşıyıcı yoğunluğu (N2D(i)), etkin kütlesi (m*), kuantum ömrü (qi) ve kuantum mobilitesi (qi), Fermi enerjisi (EF-Ei) ve alt-band enerjileri farkı (E2-E1) belirlendi.

In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklem örneklerde 2D elektronların etkin kütlesinin ayırıcı tabaka genişliğinden hemen hemen bağımsız olduğu gözlendi. Birinci ve ikinci alt-bandlarda bulunan elektronların etkin kütlesi hacimli (bulk) In0,53Ga0,47As'de elektron etkin kütlesine yakındır. Bu deneysel sonuçlar, In0,53Ga0,47As’de iletim bandının parabolik olmamasının ve elektron dalga fonksiyonunun In0,52Al0,48As ayırıcı/engel tabakasına sızmasının elektron etkin kütlesini pek etkilemediğini ifade etmektedir. Düşük sıcaklıklarda ölçülen kuantum mobilitesi ve transport mobilitesi (ti) verileri karşılaştırılarak 2D elektronların saçılma mekanizmalarının doğası tartışıldı. In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklem örneklerde birinci alt-banddaki elektronların küçük açı, ikinci alt-banda bulunan elektronların ise büyük açı saçılması yaptığı sonucuna varıldı.

Gonderen: yciftci@quark.fef.gazi.edu.tr

Bazı fcc metallerin Teoriksel Kararlılığı için Embedded Atom Method

[100] tek eksenli yükleme altındaki Ni,Cu,Ag,Al,Au ve Pt fcc metallerinin teoriksel kararlılığı ve yapısal faz dönüşümleri analitik embedded atom potansiyel metot kullanılarak çalışıldı. Bu hesaplamalarda, stres uygulanmamış bcc faz kararsız, fcc faz kararlı olarak bulundu. Elde edilen fcc-bcc enerji farkı incelenen bütün metaller için " first-principles" hesaplarla ve deneylerle kıyaslandı. EAM'deki ikili etkileşim potansiyeli bu amaç ilk defa kullanıldı. bcc ve fcc fazların teoriksel örgü parametresi, hacim ve enerjiler incelenen her metal için sıfır basınçta hesaplandı ve mevcut deneysel değerlerle kıyaslandı. Ayrıca üçüncü derece elastik sabitleri ve basınç-hacim eğrileri incelendi ve genellikle uyum iyi bulundu.

Gonderen: yciftci@quark.fef.gazi.edu.tr

Temperature Dependent Thermoelastik Properties of Some fcc Crystals

Bazı fcc metaller için ikinci ve üçüncü derece elastik sabitleri (Cij,Cijk), thermal açılım katsayısı(B), Anderson-Grünesien parametresi , Grüneisen parametresi, bulk modülü (B) gibi bazı termoelastik özellikler hesaplandı. Toplam enerji (W), merkezi ikili etkileşim potansiyeli (extended generalized exponential energy-EGEP) ve hacim bağımlı enerji (Wv)’nin toplamı olarak farz edilir. Bu potansiyel modelde, sıcaklık W0(r)exp(-pi kbTr/(hvf)) olarak toplam enerji ile alakalıdır. Elde edilen sonuçlar mevcut deneysel data ile kıyaslandı ve genellikle uyum iyi bulundu.

Gonderen: serdar@taek.gov.tr

Püskürtme Yöntemiyle (Spray Hydrolysis) Elde Edilmiş SnO2 İnce Filmlerinin Elektriksel ve Optiksel Özellikleri ve Al/p-Si/SnO2/Al Yapılarının İncelenmesi

Son yıllarda opto-elektronik elemanlara artan bir ihtiyaç duyulması saydam ve elektriksel iletkenliği büyük ince filmlerin önemini arttırmış ve üzerinde çok çalışılan bir konu haline getirmiştir. Bu amaçla laboratuar ortamında bir püskürtme sistemi kurulmuş ve geliştirilmiştir. Bu sistem yardımıyla öncelikle cam alttabakalar üzerine değişik biriktirme sıcaklıklarında (300, 350, 400 ve 450 C)SnO2 ince filmleri büyütülmüştür Bu filmlerin elektriksel ve optiksel özellikleri incelenmiş, Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM)yardımıyla yüzey morfolojileri elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin kimyasal reaksiyonlara ve mekanik darbelere karşı çok dayanıklı olduğu görülmüştür. Daha sonra yine püskürtme sistemi yardımıyla 0.8 ohm-cm özdirençli p-Si üzerine SnO2 ince filmleri kaplanmak suretiyle Al/p-Si/SnO2/Al yapıları oluşturulmuştur. Elde edilen yapıların elektroniksel karakteristikleri, düz-beslem akım gerilim (I-V) ve ters-beslem kapasite-gerilim (C-V) belirtkenleri yardımıyla incelenmiştir.

Gonderen: safi@hacettepe.edu.tr

In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As Heteroeklem Örneklerde Sıcaklık Ve Ayırıcı Tabaka Genişliğinin Elektronik Transport Özelliklerine Etkisi

Modülasyonlu-katkılanmış In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklemlerde elektriksel direnç (Rxx) ve Hall direnci (Rxy) ölçümleri yapıldı. Deneylerde ayırıcı tabaka genişliği tS=0 Å, 100 Å, 200 Å ve 400 Å olan örgü-uyumlu heteroeklem örnekler kullanıldı. Örneklerden sabit dc akım (I=10 &#61549;A) sürüldü ve örnek düzlemine dik magnetik alan (B=1 T) uygulanarak elde edilen verilerden Hall mobilitesi (&#61549;H) ve Hall taşıyıcı yoğunluğu (NS), 3,3-295 K aralığında, sıcaklığın fonksiyonu olarak belirlendi. Hall mobilitesinin ve Hall taşıyıcı yoğunluğunun sıcaklık ve tS ile değişimleri tartışıldı. Hall mobilitesinin sıcaklık ve ayırıcı tabaka genişliğine bağlı değişimlerinden yararlanarak, In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklemlerde iki-boyutlu (2D) elektronların saçılma mekanizmaları incelendi. T<50 K bölgesinde alaşım düzensizliği saçılmasının, yüksek sıcaklıklarda (T90 K) ise optik fonon saçılmasının başat saçılma mekanizmaları olduğu sonucuna varıldı. Akustik fonon saçılması, tüm sıcaklıklarda, alaşım düzensizliği ve polar optik fonon saçılması yanında ihmal edilebilmektedir. Düşük sıcaklıklarda, tS<=100 Å olan örneklerde uzak-iyonize safsızlık saçılması, tS200 Å olan örneklerde ise artık-iyonize safsızlık saçılmasının mobiliteye önemli etkileri vardır. Yüksek sıcaklıklarda Hall mobilitesinin sıcaklıkla değişiminden polar optik fonon enerjileri belirlendi. Hall taşıyıcı yoğunluğu T<50 K bölgesinde sıcaklıktan bağımsız olmaktadır. NS sıcaklık arttıkça, tS=0 Å ve 200 Å olan örnekler için sıcaklıkla fazla değişmemesine rağmen, tS=100 Å ve 400 Å olan örneklerde önce azalmakta, sırasıyla 165 K ve 70 K sıcaklıklarında bir minimumdan geçtikten sonra hızla artmaktadır. T=3,3, 77 ve 295 K sıcaklıklarında Hall taşıyıcı yoğunluğunun tS’ye bağlılığı elde edildi ve incelendi. Hall taşıyıcı yoğunluğu tS=0-100 Å aralığında hızla azalmakta tS100 Å bölgesinde bir artma eğilimi göstermektedir.

Gonderen: ilkeray@hacettepe.edu.tr

HİDROJENLENDİRİLMİŞ AMORF SİLİSYUM-AZOT (a-SiNx:H) ALAŞIMI İNCE FİLMLERİN OPTİK VE ELEKTRİK ÖZELLİKLERİ

Bu çalışmada farklı oranlarda azot içeren hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-azot alaşımları (a-SiNx:H) bir plazma biriktirme sisteminde silan (SiH4) ve amonyak (HN3) gazlarının bileşenlerine ayrıştırılması ile Corning 7059 cam tabanlar üzerine ince film olarak hazırlanmıştır. Farklı oranlarda azot katılarak hazırlanan bu filmler ile optik geçirgenlik, karanlık iletkenlik, fotoiletkenlik ve geçici fotoiletkenlik deneyleri yapılmıştır.

Optik geçirgenlik deneyleri için dalgaboyu 400nm den 1100nm'ye değişen spektrum kullanılmıştır. Bu deney sonucunda elde edilen geçirgenlik spetrumundan, soğurma katsayısının ve kırma indisinin, dalgaboyuna göre değişimi bulunmuştur. Bu veriler sonucunda deneğin kalınlığı, optik band aralığı, E04 enerjisi ve B parametresi elde edilmiştir. Bu deney farklı oranlarda azot içeren denekler için tekrarlanmış ve azot oranına bağlı olarak, optiksel parametrelerin değişimi incelenmiştir.

Karanlık iletkenlik deneyleri 420K ile 90K sıcaklık aralığında yapılmıştır. Bu deney sonucunda saf deneğin karanlık iletkenliğinin, sıcaklıkla nasıl değiştiği incelenmiş ve elde edilen grafikten aktivasyon enerjisi hesaplanmıştır. Bu deney farklı oranlarda azot içeren denekler için tekrarlanmış ve azot oranının artması ile, aktivasyon enerjisinin ve karanlık iletkenliğin değişimi incelenmi?tir.

Fotoiletkenlik deneylerinde 630nm dalgaboyuna sahip bir led grubu kullanılarak, 10^14-10^17 foton/cm2s foton akısı aralığında saf deneğin fotoiletkenliği, sıcaklığın fonksiyonu olarak incelenmiştir. Geçici fotoiletkenlik deneyleri ile de, taşıyıcıların sönüm zamanının sıcaklıkla değişimi 10^16 ve 10^17 foton/cm2s foton akıları için incelenmiştir. Elde edilen verilerden deneğin sürüklenme mobilitesinin sıcaklıkla ve foton akısı ile değişimi hesaplanmıştır. Bu deneyler farklı oranlarda azot içeren denekler için tekrarlanmış ve azot oranının artması ile fotoiletkenliğin, taşıyıcıların sönüm zamanının ve sürüklenme mobilitesinin değişimi incelenmi?tir.

Gonderen: hsari90@hotmail.com

InxAl1-xAs Bileşik Yarıiletken Malzemede DX Merkezlerinin İncelenmesi

Bileşik yarıiletken malzemelerde gözlenen ve noktasal kusurlar olarak bilinen DX merkezlerin enerji seviyesi InxAl1-xAs bileşik yarıiletken malzemede indiyum komposizyonuna bağlı olarak (0.10&#8804;x&#8804;0.34) incelendi. InxAl1-xAs bileşiği, daha düşük enerji aralığına sahip olan InyGa1-yAs ile birlikte MODFET yapı oluşturmaya elverişli olacak şekilde yarıyalıtkan GaAs alttaşı üzerinde MBE (Molecular Beam Epitaxy) yöntemi kullanılarak büyütüldü ve InxAl1-xAs katmanı büyütme sırasında silikon ile düzlemsel olarak katkılandı. Bu merkezlerin tipik özelliği olan kalıcı fotoiletkenlik ve transistör eşik voltaj ölçümleri 25 oK de, serbest elektron yoğunluğu da sıcaklığın fonksiyonu olarak Hall yöntemi ile ölçüldü. Deneysel sonuçlar tek boyutlu özuyumlu Poisson-Schrödinger denklemi yardımı ile benzeştirilerek DX merkezlerin enerji seviyeleri ölçüldü. Bu merkezlerin enerji düzeyinin x&#8804;0.42 için iletim bandının altında olduğu ve malzemenin elektronik özelliklerini değiştirdiği gözlendi.

Gonderen: hilaly@quark.fef.gazi.edu.tr

FRAKTAL BOYUT ANALİZİNİ KULLANARAK YARIİLETKEN PLAKALAR İÇİN TAHRİBATSIZ KALİTE TEST METODU

GaAs yarıiletken plakalı bir iyonizasyon sisteminde yarıiletken plakalarının direnç homojensizliği ve kalite analizi için tahribatsız bir metot önerilmiştir. Yüksek dirençli ve büyük çaplı ışığaduyarlı yarıiletken plakalarda materyalin hacmi boyunca direnç homojensizliğini ve iletkenlik dağılımını hızlı görüntülemek ve kaydetmek için bir sistem tanıtıldı. 10^5 - 10^9 ohmcm özdirençli yarıiletken plakalar bahsettiğimiz sistemde kullanılabilir. Düşük sıcaklıklarda,özdirenç 10^5 ohmcm olduğu zaman, normal olarak düşük dirençli Si ve Ge plakalar, sistemimizdeki homojensizlikleri göstermek için test edilebilir. Boşalmanın yarıiletken yüzeyi üzerindeki kötü etkisi Xe gibi soygaz kullanarak ve ayrıca sistemin pulslu çalışma modunda kullanılması ile azaltılabilir. Geleneksel kalite analiz metotlarına ek olarak, yarıiletken plakalarının yüzey homojensizliklerini belirlemek için fraktal boyut metodunu uyguladık. Fraktal boyut analizini kullanan bu tahribatsız metot bu metodun etkinliğini araştırmak için farklı GaAs yarıiletken plakalarla bir iyonizasyon hücresinde direnç homojensizliklerinin yerini ve büyüklüğünü analiz etmek için uygulanmıştır. Yarıiletken plakanın kalitesinin fraktal boyut ölçümü ile değerlendirilebileceği farkedilmiştir. Üstelik, fraktal boyut analizi iyonizasyon hücresinde uzaysal desenin tüm aktif alanının kullanılması nedeniyle uzaysal desenin homojenliğinin belirlenmesinde kesin sonuç verir.

Gonderen: eulgen@hacettepe.edu.tr

AMORF YARIİLETKEN a-Si:H/a-SiNx:H ÇOKKATLI FİLMLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ

Bu çalışmada ince tabakalar halinde a-Si:H ve a-SiNx:H materyallerin ardışık olarak büyütülmesi ile elde edilen çokkatlı filmlerin optik özellikleri; katman sayısına, a-SiNx:H katmanın azot oranına ve katmanların büyüme sürelerine göre tekkatlı filmlerle karşılaştırılarak incelenmiştir. Bu incelemeleri yapmak için tekkatlı ve çokkatlı filmler üzerinde 500-1100 nm dalgaboyu aralığında optik geçirgenlik deneyleri yapılmıştır. Optik geçirgenlik deneylerinin sonucunda; çokkatlı filmlerin, katman sayısı, azot oranı ve katmanların büyüme süresine bağlı olarak görünür bölgeyi kesen EMD spektrumunun yakın infrared bölgesini (NIR) geçiren "bant geçiren filtre" özelliği gösterdikleri görülmüştür. Çokkatlı filmlerin bant geçiren filtre özelliklerini, katman sayısının, a-SiNx:H katmandaki azot oranının ve katmanların büyüme süresinin belirlediği görülmüştür. Bant geçiren filtrelerin kısa dalgaboyu kesim değerini a-Si:H ve alaşımlarının bant aralığı değerinin sınırladığı uzun dalgaboyu kesim değerini ise katmanların büyüme süresinin yani her katmanın kalınlığının belirlediği görülmüştür. Azot oranı sabitken, katman sayısının artması ile uzun dalgaboyu kesim değerinin belirginleştiği ve bant genişliğinin daraldığı görülmüştür. Katman sayısı sabitken, değişen azot oranı ile filtre özelliğinin değişmediği, bant genişliği ve uzun dalgaboyu kesim değerinin değiştiği görülmüştür. Çokkatlı filmlerden biri ile Telefunken firması tarafından üretilen optoelektronik aygıtlar karţılaştırıldığında, çokkatlı filmin diğer ticari aygıtlara göre daha dar bir spektruma sahip olduğu, kısa ve uzun dalgaboyu değerlerinin oldukça keskin indiği görülmüştür. Ayrıca bu filmin NIR bölgede çalışan bazı aygıtlarla çakıştığı görülmüştür. Yaşlılık ve dayanıklılık deneyleri, çokkatlı filmlerimiz için zamana bağlı olarak optik özelliklerinde değişim olmadığını, nem, hava ortamı ve yüksek sıcaklık gibi etkilerin filtre özelliğini etkilemediğini göstermiştir.

Gonderen: eozturk@cumhuriyet.edu.tr, ergun@cumhuriyet.edu.tr

Katkılı tabakalar arasındaki uzaklığa bağlı olarak çift Si delta-katkılı GaAs yapısı

Bu çalışmada,katkılı tabakalar arasındaki uzaklığa bağlı olarak etkileşimli çift Si delta-katkılı GaAs yapısının elektronik özellikleri, homojen bir dağılım için teorik olarak incelenmiştir. Yapının etkin potansiyel profilleri, elektronik yoğunluk profilleri, altband enerji ve yerleşimleri, Poisson ve Schrödinger denklemlerinin self-consistent(kendi-içinde tutarlı)çözümüyle hesaplanmıştır.Çift Si delta-katkılı tabakalar arasındaki etkileşim, elektronların bu katkılı tabakalardan uzaklaşmasına ve çift kuyunun merkezinde birçok taşıyıcının bulunmasına neden olur. Böyle bir geçişle birlikte, yük taşıyıcıları iyonize safsızlık saçılmasından uzaysal olarak ayrılırlar ve bunun bir sonucu olarak da elektron hareketliliği artar. Bu çalışmada, altband yapısındaki değişimlerin, iki katkılama tabakası arasındaki uzaklığa oldukça duyarlı olduğunu gördük.

Gonderen: iaskerzade@yahoo.com

Süperiletken MgB2 için Hc2(T)'nin Ginzburg-Landau Teorisi ile İncelenmesi

Süperiletken magnezyum borür (MgB2)’ ün band yapısının çok bandlı karaktere sahip oldugu hem mikroskopik hem de makroskopik düzeyde genel kabul gördüğü bilinmektedir. Kritik sıcaklık civarında mikroskopik teoriyle uyum içinde olan Ginzburg-Landau (G-L) teorisi çerçevesinde, iki-bandlı süperiletkenlik durumu için, MgB2’ nin üst kritik magnetik alanın sıcaklık bağımlılıgı incelendi. Üst kritik alanın sıcaklık bagımlılıgı, Hc2(T), kritik sıcaklık Tc cıvarında pozitif bir egrilik göstemektedir. Bu bağımlılık magnetik olmayan borokarbid süperiletkenlerde gözlenen bağımlılığa bir benzerlik gösterdiği bulundu. Üst kritik alanın sıcaklık bagımlılıgı ve onun türevleri deneysel sonuçlarla iyi uyum içindedir. İki bandlı G-L teorisinin verdiği sonuçlar, Hc2’nin sıcaklık bağımlılığı için kullanılan diğer geleneksel teorilerle bir karşılaştırması sunulacaktır.

Gonderen: akilic@science.ankara.edu.tr

FARKLI YÖNTEMLERLERLE ÜRETİLMİŞ YIĞIN BSCCO-2223 SÜPERİLETKENLERİN FİZİKSEL ÖZELLİKLERİNİN TAYİNİ ve KARŞILAŞTIRILMASI

Bu çalışmada, Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O yığın numuneleri katı-hal reaksiyon ve sıvı amonyum nitrat yöntemleri kullanılarak değişik tavlama sıcaklıklarında üretildi. Üretilen numunelerin, AC elektriksel direnç ölçümleri , I-V karakteristikleri ve SEM çalışmaları ile karakterizasyonu yapıldı. Numunelerin mükemmel diamanyetizmaya başlangıç sıcaklıkları tesbit edildi. Bi-2223 ve Bi-2212 faz oranları ve oluşan fazlara ait birim hücre sabitleri X-ışını toz difraksiyon desenleri alınarak tepe şiddetlerinden belirlendi. 840 °C ve 855 °C’de 100 saat tavlanan numunelerin mikroyapı ve elektriksel özellikleri incelenerek literatürdeki çalışmalarla ve her iki yöntem arasında karşılaştırma sunulacaktır.

Gonderen: nusret.guclu@science.ankara.edu.tr

SÜPERİLETKENLERİN MAGNETİK ÖZELLİKLERİNİN MODEL HESAPLAMALARI İLE İNCELENMESİ

Karışık faz durumunda bulunan bir süperiletkene magnetik akının girmesi ve akı hareketiyle ilişkilendirilen aa kayıpların akı dinamiklerinin bir sonucu olduğu kabul edilmektedir. Analitik olarak modele dayalı aa harmonik alınganlıklar için çözümlerin mevcut olduğu geometrilerde alan bağımlılığı ve mıknatıslanmanın alana göre değerleri hesaplandı. Çeşitli kritik durum modelleri (Bean ve Anderson-Kim modelleri) kullanılarak elde edilen sayısal hesaplamalar, deneysel verilerilerle karşılaştırılacaktır. Ayrıca, Anderson-Kim modelinde tanımlı p paremetresine göre, p<0.3 için, literatürdeki sonuçlara uygun olarak Anderson-Kim modelinin Bean modeli ile iyi uyum içinde olduğu gözlendi.

Gonderen: eaksu@science.ankara.edu.tr

BSCCO-2223 YIĞIN SİLİNDİR SÜPERİLETKENİN…

Sıvı amonyum nitrat metodu ile üretilen BSCCO-2223 fazlı yığın silindir süperiletken numunede temel ve yüksek harmonik alınganlıklar, (1, 2, 3, 5 ve 7) farklı ac alan genlik ve frekanslarda 15 K ile 120 K arasında ölçüldü. Sıcaklığın fonksiyonu olarak ölçülen temel ve yüksek harmonik alınganlıklar hem ac alan genliğine hem de alan frekansına bağımlılık göstermektedirler. Gözlenen bağımlılıklar “Clem ve Müller Modelleri” çerçevesinde yorumlanarak, uygun sıcaklıklarda kritik akım yoğunlukları belirlendi. Elektriksel özelliklerin magnetik özelliklerden modelleme ile çıkarmak amacıyla sabit sıcaklıkda farklı ac alanlarda ölçümler yapıldı. Numunedeki akı dinamiklerini araştırılması ise, farklı sabit sıcaklıklarda tek bir frekansta gerilim-akım verileri elde edilerek yapıldı. Deneysel verilerle 3. harmonik alınganlık ölçümlerinden model çercevesinde elde edilen E(J) karakteristiği karşıla?tırılarak numunenin magnetik ve elektrik özellikleri arasında nitel ilişkiler araştırıldı.

Gonderen: sari@cumhuriyet.edu.tr

Alan Altında Bir Boyutlu Sistemlerde Eksitonik Yapı

Kristal büyütme tekniğindeki gelişmelere bağlı olarak yarıiletkenler teknolojik uygulamalarda yaygın bir kullanım alanına sahiptirler. Külçe malzemeye göre heteroyapıların kullanıldığı düşük boyutlu sistemlerin elektronik ve optik özelliklerinde önemli farklılıklar gözlenir. Düşük boyutlu sistemlerin fiziksel özelliklerinin kolayca amaca yönelik olarak ayarlanabilir olmaları uygulama alanında tercih edilmelerini sağlamıştır. Özellikle dışarıdan uygulanan elektrik alanı altında bu sistemlerde ölçülen fiziksel büyüklüklerde önemli değişimler elde edilmiştir. Bu nedenle, söz konusu olan bu sistemlerin farklı biçimleri için kuramsal ve deneysel çalışmalar yoğun bir şekilde devam etmektedir.

Bir boyutlu kuantum telinde elektronlar, tel boyunca serbest hareket etmelerine karşın, tele dik iki boyutta kuantize olurlar. GaAs-Ga1-xAlxAs kuantum telinde elektron iletimi ilk kez Sakaki tarafından araştırılmış ve yüksek mobilite etkileri gözlenmiştir. Ayrıca iki boyutlu kuantum sistemlerine göre bir boyutlu kuantum telinde parçacıkların kuşatılmaları daha fazla olduğu için eksitonik yapı daha kararlıdır ve eksiton bağlanma enerjileri daha büyüktür. Bu çalışmada, bir boyutlu GaAs-Ga1-xAlxAs kuantum telinde eksitonik sistemi tanımlayan Hamiltonien oluşturularak etkin kütle çerçevesinde taban durumda bulunan eksitonun bağlanma enerjisi elektrik alan altında varyasyonel hesap tekniği kullanılarak hesaplanmıştır. Alan altında iletim ve valans bantlarında enerji düzeyleri hesaplanırken parçacıkların yarı-bağlı olma kriterleri kullanılmıştır. Hesaplamalar sonucunda kuantum telinde eksitonik yapının düşük boyutlarda elektrik alanına oldukça duyarlı olduğu görülmüştür. Çalışmalarımızın sonucunda elde edilen sayısal sonuçlar benzer sistemler üzerinde yapılan çalışmalar ile karşılaştırılarak, yeni cihazların tasarımında getireceği katkılar üzerinde durulmu?tur.

Gonderen: bala@quark.fef.gazi.edu.tr

ULTRAVİYOLE VE GÖRÜNÜR BÖLGEDE VERİMLİ IŞIK EMİSYONUN KAYNAĞI

Bu çalışmada, UV ve görünür bölgede yarıiletken katotlu düzlemsel gaz boşalma sistemi ile glow boşalmasının spektral yayılımını inceledik. Hava ve azot, 40 mikrometre mesafeye sahip gaz boşalma aralığı kullanıldı. Glow boşalmada oluşan ışıma maksimumu elektron/molekül uyarımı ile ilgilidir. Bu boşalmanın ışık emisyon karakteristiği, ışımanın spektral dağılımları, çizgi şiddetinin gaz basıncı ve akım yoğunluğuna bağımlılığı, bu bölgede elektron hareketinin Monte-Carlo simulasyonu ve demet modellerle tam olarak açıklanabilir. Düzlemsel gaz boşalma sisteminde uzayın ışık emisyon karekteristiği kompleksdir ve ışın yayan ortam ve türe bağlıdır. Sistemin yarıiletken katodunu kızılötesi ışınla uyararak azotlu gaz bo?alma aralıklı cihazın boşalma ışıma emisyonu, eğer gaz basıncı ve elektrik alan yeterince yüksekse, verimli UV ışıma kaynağı olarak kullanılabileceğini gösterdik. Bu, yarıiletken katodun geniş yayılım yüzeyli dar bir gaz boşalma aralığında boşalmanın homojen modunun kararlılığı ile gerçekleşir. Glow boşalma ışık emisyonun önemli özelliği, büyük yüzeyli ışık yayan uyarılmış lambaların (excilamps) gelişimi için çok fazla önem vermesi, UV radyosyonunun yüksek uzaysal düzenlilik ve bu cihazın hızlı dinamik göstermesidir.

Gonderen: ftabak@hun.edu.tr

Süperiletken MgB2'de 11B NMR Spektrumu ve Durulma

Süperiletken MgB2'de (Tc &#61627; 39.5K) 11B NMR spektrumu ve spin-örgü durulma zamanı ölçümleri yapıldı. I = 3/2 spinli bir çekirdek için kuadropol pertürbe olmuş tipik bir toz spektrumu özelliği gösteren spektrumdan kuadropol çiftlenim katsayısı &#61550;Q = 835 &#61617; 5 kHz olarak bulundu. Kritik sıcaklığın üstünde Knight kaymasının çok küçük ve sıcaklıktan bağımsız olduğu, süperiletken halde ise azalarak sıfıra gittiği gözlendi. Nükleer spin-örgü durulma zamanı T1'in normal halde T1T = 170 &#61617; 10 s.K bağıntısı ile Korringa davranışı gösterdiği anlaşıldı. Kritik sıcaklığın altında T1'in davranışında gözlenen alan bağımlılığına akı çizgilerinin termal hareketinin katkısı olabileceği öne sürüldü. Bu sıcaklıklarda Hebel-Slichter pikinin varlığına rastlanamadı.

Gonderen: sari@cumhuriyet.edu.tr

Çiftlenimli Kuantum Tellerinde Elektronik ve Eksitonik Yapı

Son yıllarda yeni elektronik devre elemanlarının geliştirilmesi çoğunlukla Düşük Boyutlu yarıiletken heteroyapılara dayanmaktadır.Yeni cihazlar için önerilen modellerin çalışma ilkeleri elektronik ve optik özelliklerin amaca yönelik ayarlanabilir olmalarına bağlıdır. Bu durum bir boyutlu kuantum telinin araştırılmasını önemli kılmaktadır. Özellikle dışardan uygulanan elektrik alanı altında bu sistemlerde ölçülen fiziksel büyüklüklerde önemli değişimler elde edilmektedir. Düşük Boyutlu Yarıiletkenlere dayanan fonksiyonel devre elemanlarının prensiplerini anlamak için, tasarlanan yeni cihazlarda elektronik yapıyı ve eksitonik bağlanmayı hesaplamak gerekir. Bu nedenle, söz konusu olan bu sistemlerin farklı biçimleri için kuramsal ve deneysel çalışmalar yoğun bir şekilde devam etmektedir.Bu çalışmada ise çitlenimli kuantum telinin simetri özelliklerine bağlı olarak elektron-boşluk arasındaki eksitonik bağlanma etkin kütle çerçevesinde varyasyonel olarak incelenmiş ve parçacıkların davranışları sistemin boyut parametrelerine ve simetrisine bağlı olarak araştırılmiştır. Bir boyutlu yarıiletken sistemde eksitonik yapıyı tanımlayan varyasyonel fonksiyon; Gaussian-tip "orbital" fonksiyon ile parçacıkların kuantum telindeki kuşatılmalarını tanımlayan tam çözümlerin birleşiminden oluşmuştur. Elde edilen sonuçlara göre sistemin elektronik özelliklerinin boyut parametrelerine duyarlı olduğu gürülmüştür.

Gonderen: akturk@science.ankara.edu.tr

Fe-Ni-Mn Alaşımlarında Atermal ve İzotermal Martensite Dönüşümleri

Fe-Ni-Mn alaşımlarında gözlenen atermal ve izotermal özellikli martensitik faz dönüşümlerinin morfolojik, kristalografik, mekanik ve magnetik özellikleri çeşitli fiziksel yöntemler kullanılarak araştırılmıştır. Fe-Ni-Mn alaşımınlarında austenite fazdan martensite faza geçiş hem atermal hemde izotermal özellik göstermekte olup, incelenen alaşımda izotermal martensitik fazın ilk oluşumu ve zaman içerisinde büyümesi, oluşum esnasında mikroskopi yöntemleri ile incelenmiştir. Austenite kristali içerisinde atermal olarak oluşan martensite faz için habit düzleminin austenite fazın (252) düzlemine paralel olduğu ve bu martensite faz ile austenite arasında Kurdjumov-Sachs türü kristalografik dönme bağıntısının bulunduğu görülmüştür. Fe-%25Ni-%5Mn ala?ımında oluşan (b.c.c.) martensite yapının dışında (h.c.p.) martensite yapının da bu alaşım içerisinde oluşabileceği ilk defa bu çalışmada ortaya konulmuştur. Bu oluşan (h.c.p.) türü martensite yapı ile austenite yapılar arasında Shoji-Nishiyama türü dönme bağıntısı bulunduğu sonucuna varılmıştır.

Fe-Ni-Mn alaşımında austenite fazda bulunan kristal taneciklerinin büyüklüğünün alaşımın mekanik özelliklerini nasıl değiştirdiği ve austenite faz içerisinde oluşan martensite fazın bu dönüşüme etkisi, mekanik test yöntemleri ile araştırılmıştır. Deformasyon etkisi ile oluşan martensite yapının morfolojisi ve kristalografisi elektron mikroskopi yöntemleri ile incelenmiştir. Austenite fazın kristal tanecik büyüklüğünün mekanik özellikler üzerinde çok etkin olduğu, içerisinde martensite faz bulunan alaşımın austenite faza göre çok değişik mekanik özellik gösterdiği ve plastik deformasyon sonucunca oluşan martensite yapının dislokasyon yumaklarından oluşmuş b.c.c. yapıda olduğu bulunmuştur.

Fe-Ni-Mn alaşımında kristalografik faz dönüşümlerine eşlik eden bir magnetik faz geçişinin olup olmadığı AC magnetik alınganlık yöntemi ile araştırılmış olup, bu malzeme için antiferromagnetik fazdan paramagnetik faza geçiş sıcaklığı olan TN-Neel ve ferromagnetik fazdan paramagnetik faza geçiş sıcaklığı TC-Curie sıcaklıkları bulunmuştur. Ayrıca, Mössbauer spektroskopisi yöntemi kullanılarak da, austenite faz içerisinde oluşan atermal ve izotermal martensite fazın hacım yüzdeleri bulunarak austenite fazın paramagnetik, martensite fazın ferromagnetik veya antiferromagnetik fazda oldukları açığa çıkarılmıştır.

Gonderen: lcolak@hacettepe.edu.tr

A.a duygunluk ölçüm düzeneği

Yeni bir malzemenin elektronik ve magnetik özellikleri hakkında bilgi edinilmek istenirse başvurulacak çok az deneysel yöntem bulunmaktadır. Deneysel fizikte magnetik özellikleri araştırmak için magnetik duygunluk ölçümleri tercih edilir.

Magnetik duygunluk ölçüm tekniklerinden, a.a. indüksiyon metodu yüksek sıcaklık üstüniletken ince filmlerin karekterizasyonunda önemli yer tutar. Bu teknikte ince film örnek, ters ve özdeş algılayıcı bobinlerden birinin ortasına yerleştirilir. Uyarıcı bobini besleyen alternatif akım, değişken bir magnetik alan, H(t), oluşturur. H(t) magnetik alanı örnekte M(t) magnetizasyonu yaratır. Algılayıcı bobinler arasına yerleştirilen örnek, bu sarımlarda bir gerilim indükler. Magnetik duygunluk ile deney süresince ölçülen gerilim değeri arasında &#61539;=(&#61538;&#61550;)/(fVH) ilişkisi vardır. Burda &#61550; ölçülen gerilim, f bobine beslenen a.a.’nın frekensı, V örnek hacmi, H magnetik alan ve &#61538; sistemin kalibrasyon sabitidir.

A.a. magnetik duygunluk ölçümleri için kullanılan deney düzeneği krayostat, bobin düzeneği, deney tüpü ve bu deney tüpü içerisine yerleştirilen örnek tutucusundan oluşmaktadır. Krayostat sıvı azot kabı girişine sıkıca yerleştirilmiş olan fiber kafa ve bu kafaya bağlanan fiber borudan oluşmaktadır. Fiber kafa üzerine deney tüpünün aşağı yukarı hareketini sağlayan kramayer dişlisi ve tutucusu ile elektriksel bağlantılar yerleştirilmiştir. Bobin düzeneği eş merkezli olacak şekilde iç içe yerleştirilmiş algılayıcı ve uyarıcı bobinlerden oluşmuştur. Deney tüpü olarak payreks boru kullanılmıştır. Örnek tutucu magnetik özelliği olmayan delrin malzemesinden yapılmıştır. Delrin borunun içinde iki adet blok bulunmaktadır. Blokların üzerine ısıtıcı sarılmıştır. Bu bloklar içine iki adet platin direnç termometresi yerle?tirilmi?tir.

Bu çalışmada a.a. magnetik duygunluk ölçüm düzeneği, Gadolinium Oxide (Gd2O3) ve Dysprosium Oxide (Dy2O3) kullanılarak kalibre edilmiş, yüksek sıcaklık üstüniletken YBCO ince filmler ve bulk YBCO örneklerin duygunluk ölçümleri yapılmıştır. Elde edilen ölçümlere, boş örnek çubuğu, faz ve demagnetizasyon düzeltmesi uygulanmıştır. Ölçüm sonuçlarından üstüniletken malzemelerin magnetik duygunluklarının sıcaklığa ve magnetik alana bağlı değişimleri ve geçiş sıcaklıkları elde edilmiştir.

Gonderen: perihan@quark.fef.gazi.edu.tr

Molekül-Atom Topağı Çarpışmaları: Ni55 ile D2 Reaksiyonu

Yarıklasik moleküler dinamik metod kullanılarak D2 molekülü ile Ni55 atom topağının çarpışmasında, molekülün topak yüzeyine parçalanarak tutunma olasılıkları incelendi. Topak geometrileri ''embedded atom'' modeli ile, D2 ile topak arasındaki etkileşim ise LEPS (London-Eyring-Polanyi-Sato) potansiyel enerji yüzeyi ile tanımlandı. Ni55 atom topağı 1507K sıcaklığında hazırlanarak D2 molekülünün farklı başlangıç dönme-titreţim (v=0,j=0; v=0,j=3; v=0,j=5; v=0,j=10 ve v=1,j=0) durumları için reaktif tesir kesitleri molekülün çarpışma enerjisi ve etki parametrisinin fonksiyonu olarak hesaplandı.Bu elde edilen tesir kesitleri kullanılarak reaksiyon oran sabitleri hesaplandı. Elde edilen oran sabitleri deneysel veriler ile karşılaştırıldı.

Gonderen: hilaly@quark.fef.gazi.edu.tr

GaAs VE BSO KRİSTALLERİ İLE OLUŞTURULAN KOHERENT KIZILÖTESİ GÖRÜNTÜ ÇEVİRİCİ

Fotoiletken GaAs ın electro-optik(EO) Bi12SiO20 kristal ile temasına dayanan koherent olmayan görüntüyü koherent görüntüye çeviren yeni kızılötesi görüntü çevirici model, teorik olarak analiz edildi ve deneysel olarak gerçekleştirildi. EO kristalinde EO(Pockels) etkisini gerçekleştirmek için yeterli kızılötesi ışıma etkisi altında GaAs fotoiletkeninden EO kristaline elektrik alan transferinin gerçekleşebilirliği incelendi. Elektrik alan, fotoiletken ve EO kristal parametrelerine dayalı olarak çeviricinin duyarlılık eşiği belirlendi. Kızılötesi ışıma (0.9 - 1.5 &#61549;m) koherent görünür ışımaya çevirmede gerçekleştirilen deneysel fotoiletken–EO kristal yapısı teorik hesaplamalar temel alınarak oluşturuldu. 5x10-4 W/cm2 lik çeviricinin ölçülen eşik duyarlılığı teorik ölçümlerin sınırları arasındadır. İyi çözünürlüğün elde edilmesi bu sistemin etkin koherent kızılötesi görüntü çevirici olduğunu ortaya koymaktadır.

Gonderen: hilaly@quark.fef.gazi.edu.tr

Geniş Bir Sıcaklık Aralığında Al/p-Si Schottky Yapılar İçin I-V Ölçümlerinin Analizi

Bu çalışmada Al/p-Si Schottky diyotlarının 150-375 K sıcaklık aralığında I-V ölçümleri yapıldı. Özellikle arayüzey durumlarının ve arayüzey tabakasının hazırlanan Schottky diyotlarda I-V karakteristiğine etkisi incelendi. Yarılogaritmik doğru beslem I-V eğrileri orta beslem bölgesinde (0.1-0.5) lineer olup eğimleri sıcaklıktan bağımsız bulundu. Her sıcaklık için idealite faktörü akım-voltaj eğrisinin lineer kısmının eğiminden hesaplandı. Hesaplanan idealite faktörlerinin sıcaklığa bağlı değişimi, n(T) = 0.256+461/T bağıntısına göre artan sıcaklıkla lineer olarak azaldığı gözlendi. İdealite faktörünün birden büyük değerleri, bu yapılarda arayüzey durum yoğunluklarının oldukça yüksek olmasına atfedildi. Ln Io /T^2'nin 1sıcaklığın tersine kar?ı karşı grafiği 150-210 K sıcak aralığında lineer bulundu ve eğiminden aktivasyon enerjisi, yaklaşık 0.132 eV hesaplandı. Bu düşük aktivasyon enerjisi, düşük gerilim ve sıcaklıklarda termiyonik emisyondan daha çok sapmaya neden olan rekombinasyon akımlarının ve hazırlanan yapıların tavlanmamasına atfedildi. LnIo-T grafiğinin lineer olması ile nT’nin 150- 210 K arasında yaklaşık sabit ve 210-375 K arasında ise artan sıcaklıkla azalması, akım mekanizmasının düşük sıcaklıklarda termiyonik alan emisyonuna yüksek sıcaklıklarda ise termiyonik emisyona doğru kaydığını gösterir.

Gonderen: bulent@newton.physics.metu.edu.tr

IYON EKME YÖNTEMİ KULLANARAK AZOT İLE KATKILANDIRILMIŞ GaSe KRİSTALİNİN ELEKTRİKSEL KAREKTERİZASYONU

Günümüz teknolojisinde elektronik devre elemanları ve optoelektronik cihazların yapımında taban malzeme olarak kullanılan yarıietkenlerin büyütülmesi ve elektriksel özelliklerinin bulunması büyük önem göstermektedir. Geçmişte hem lazer endüstrisindeki uygulamaları, hem de optiksel anisotropisinden dolayı GaSe konusunda yoğun çalışmalar yapılmıştır. III-VI grubuna ait ve tabakalı bir yapıya sahip olan bu yarıiletken, 0.65-18 m m gibi çok geniţ bir aralýkta oldukça yüksek geçirgenliğe sahiptir. Kimyasal yol ile Cu, Cd, Zn, Sn, Mn, N, Ge ve Si elementleri ile katkılandırılmış p tipi GaSe üzerine çok sayıda araştırma yapılmasına karşın, iyon ekme tekniği ile yapılan katkılandırma üzerine yeterince araştırma yapılmamıştır. Cu iyonları ekilmiş GaSe bulabildiğimiz tek çalışmadır. Bu tekniğin kullanılmasının başlıca avantajı, katkı miktarının kimyasal yola göre daha iyi kontrol edebilme imkanıdır.

Bu çalışmada dikey Bridgman sistemi ile büyüttüğümüz GaSe kristalinden aldığımız örnekleri 6´10¹⁵ atom/cm² dozunda ve, 30 keV ve 60 keV enerjisinde azot iyonları ile aşıladık ve elektriksel özelliklerini ölçtük. Daha sonra tavlanmamış ve 850 oC sıcaklıkta tavlanmış örneklerin elektriksel özelliklerinin sıcaklıkla değişimini ölçtük. Tavlanmamış numunenin akseptor sevyelerini 268 meV ve 72 meV olarak tespit ettik. Diğer taraftan yüksek sıcaklıkta tavlanan örnekte yapılan sıcaklık bağımlı iletkenlik ölçümlerinde önemli farklılıklar gözledik. Bu çalışma ilerisi için planladığımız çalışmalar için ön hazırlıklar niteliğinde olup bulunan sonuçlar ilk bulgulardır.

LEPS formundaki etkileşme potansiyeli elektronik yapı hesaplarına uyarlanarak parametrize edilmiştir. Elde edilen LEPS potansiyel enerji fonksiyonu kullanılarak gaz fazında bulunan H ve D atomlarının, D veya H ile yüzeyi kaplanmış olan Ni(100) ile çarpışması incelenmiştir. Elde edilen sonuçlar gösteriyor ki yüzeydenayrılan moleküllerin oluşmasında yüksek enerjili H veya D atomları etkin olmaktadır. Çarpışma sonucunda meydana gelebilecek olaylar tartışılacaktır.